本学電気電子工学系の吉本昌広教授（理事・副学長）らの研究グループは、赤外線領域でのレーザなどの光素子への応用が期待されるビスマス含有半導体の高品質化の指針を明確にしました。
　この成果は、米国物理学協会の雑誌Journal Applied Physics誌の注目論文（editor’s pick）に選ばれました。

　ビスマスなどの極端に重い元素を含む半導体材料のひとつであるGaAsBiは、高品質化することで、温度変化に対して特性が安定した赤外線レーザ素子や太陽電池への応用が期待されています。

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