公益財団法人マツダ財団が優れた研究に対して助成する「第29回 (2013年度)マツダ研究助成」に、本学電子システム工学部門・野田実教授の研究課題である、「MOD法BaTiO₃薄膜を用いた強誘電体分極特性に基づく抵抗変化型不揮発性メモリ用抵抗ヒステリシス特性の解明と改善」が採択されました。
　本研究は、「抵抗変化型メモリ用薄膜材料として有機金属分解(MOD)法によるBaTiO₃強誘電体薄膜を 用い、強誘電体分極特性に対応する明瞭な抵抗ヒステリシス特性が発現する初期的結果(電流オンオフ比:現在２桁)が得られた。従来同メモリに開発されてき た電気化学現象に基づく抵抗ヒステリシス特性に対して高速で十分な信頼性実績がある電子物理的な現象に基づく抵抗ヒステリシス特性の実現が期待されるた め、本申請研究では同MOD法による本抵抗ヒステリシス特性の各種依存性の解明とメモリ動作性の改善を検討する」というものです。
　平成２５年１０月２９日（火）にマツダ財団の魚谷滋己常務理事・事務局長が松ヶ崎キャンパスを訪れ、研究科長室にて贈呈式が執り行われました。

贈呈式の様子	（左より）マツダ財団魚谷滋己常務理事、 野田実教授、政宗貞男設計工学系長